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【朋朋公益】全城义剪·孝行北京-朋朋修脚服务队走进北京丽景苑社区
2015-06-30
       2014年5月27日,朋朋修脚北京服务队,来到了北京朝阳区管庄丽景苑社区,为社区老人们免费修脚,并讲解老人足部保养与健康知识。

       这次活动朋朋修脚北京服务队,在队长毕海燕带领下,与志愿者技师张淑文,吕佳丽,焦蒙,韩春梅,张秋,鹿红一起,一上午为辖区20多位足部有问题的老人们免费修脚。






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    基于低压驱动器实现RF功率放大器效率的提高

      发布时间:2019-05-18 04:33

      随着无线数据的使用不断增多,人们迫切希望未来的通信系统能够以更高的能效传输更多的数据,以便降低运营成本,并增加移动设备的电池寿命。

      对于发射机的功率放大器(PA)来说,由于其需要在应对最新蜂窝标准所用复杂宽带调制方案所需高峰值平均功率比(PAR)的同时实现高平均效率,因此要同时满足这两个要求,尤其具有挑战性。

      我们已经构建了一个高效的两级GaN RF PA MMIC,它采用一个低压工作的GaN晶体管作为驱动器。这可以通过降低驱动器的功耗和消除其与末级之间级间匹配的需要,来提高整体PA的平均效率。

      尽管负载调制引起的输出功率变化很大,但MMIC的末级采用准负载不敏感(QLI)的E类负载网络来终止,从而可以实现高效率。该负载网络采用标准的RF封装,并利用键合线和封装引线电容来实现。

      负载牵引测量结果表明,尽管负载调制多种多样——例如输出功率可以有8dB变化——但PA的总功率效率仍然大于70%。由于能始终保持这种高效率,因此该MMIC对有赖于负载调制的PA架构(例如Doherty和异相方法)非常有用。

      我们使用此MMIC创建了一个演示PCB。该系统的线dBm时,最大效率为76%。驱动器和末级的电源电压分别为5.5V和25V。我们在我们的演示装置中使用了带矢量切换广义记忆多项式数字预失真(VS-GMP DPD)算法的WCDMA信号,并在29.4dBm的平均输出功率下实现了-52.4dBc的相邻信道泄漏比。

      传统方法对驱动器和末级使用相同的电源电压,因此整个PA需要在其驱动器和末级之间添加一个匹配网络。在驱动器上使用低电源电压,可以充分降低其输出阻抗,而使整个PA不需要这样的匹配网络,从而可降低功率损耗。低驱动器电源电压还可降低驱动器的功耗,从而提高整体效率。去掉级间匹配网络还可降低MMIC的尺寸,从而降低成本。

      图2比较了仿真条件下传统高压和新型低压驱动器RF PA拓扑的整体效率。虽然仿真得到的漏极效率(DE)对于高压和低压情况几乎相同,但功率附加效率(PAE)却存在显著的差异。

      图2:当PA工作在2.14 GHz时,两种驱动器架构的漏极效率(上图)和功率附加效率(下图)的仿真比较。

      此MMIC采用Fraunhofer IAF的0.25µm GaN HEMT技术在多项目晶圆上构建为两级放大器。驱动级和末级的总栅极宽度分别为0.488mm和2.4mm。末级晶体管和驱动器晶体管以及交流耦合电容和栅极偏置电阻均集成在一块裸片上,如图3所示。

      尽管负载调制引起的输出功率变化很大,但MMIC的末级仍采用QLI E类负载网络终止,以便确保高效率。

      MMIC及其QLI E类负载网络采用SOT1112A标准埃赋隆(Ampleon)空腔陶瓷封装,并使用键合线和封装引线电容产生两个关键的电抗元件:4.9nH的L1和1.5pF的C1。

      图4显示了已封装MMIC在负载牵引测量下的效率,表明已封装MMIC可以在大负载变化下保持其高效率。

      为了进一步证明低压驱动器方法的价值,我们设计了一个PCB来安装此MMIC,并调整其输出负载,以匹配此MMIC在上述负载牵引测量下单独实现其最大效率时的阻抗。

      PCB板采用RogersRO4350B作为基板来制备。图5中显示了该PCB板及其偏置和匹配元器件。

      图6显示了已安装PA采用2.14GHz连续波信号测得的漏极效率、功率附加效率和增益。峰值PAE为76%。驱动器功耗非常低,以至于在低输出功率和高输出功率水平下,漏极和功率附加效率之间的差异可以忽略不计。在2.14GHz时测得的小信号增益约为27dB。

      使用低压驱动电路有助于在0.25μm GaN HEMT技术中实现高整体PA效率。我们的测量结果表明,采用RF封装组装、具有QLI E类负载网络的低压驱动器MMIC,可以在输出功率有8dB变化的情况下,创建效率保持大于70%的PA。这样,对于有赖于负载调制的PA架构(例如Doherty和异相方法)来说,此MMIC就能够成为良好的候选器件。

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      流通式架构优化PCB布局 分布式VCC和GND引脚配置可最大限度地降低高速开关噪声 EPICTM(增强型高性能植入式CMOS)1- m工艺 在125C时500-mA典型的闩锁抗扰度 封装选项包括塑料300-mil采用25密耳中心到中心引脚间距和采用25密耳中心到中心引脚间距的380密耳细间距陶瓷扁平(WD)封装,收缩小外形(DL)封装 ...

      LVT16240器件是16位缓冲器和线V)VCC而设计操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。 这些设备专门用于提高3态存储器地址驱动器,时钟驱动器和性能的密度。面向总线的接收器和发送器。 这些器件可用作四个4位缓冲器,两个8位缓冲器或一个16位缓冲器。这些器件提供反相输出和对称低电平有效输出使能(>

      OE)输入。 当VCC 介于0和1.5 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 这些器件完全适用于使用Ioff和上电3的热插拔应用-州。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 SN54LVT16240的特点是在整个军用温度范围内工作 - 55C至125C。 SN74LVT16240的工作温度范围为-40C至85C。 特性 德州仪器广播公司的成员??家庭 3.3 V工作和低静态功耗的先进BiCMOS技...

      此八进制缓冲区/驱动程序设计用于2.7 V至3.6 VVCC操作。 SN74LVCZ240A专为提高三态存储器地址驱动器,时钟驱动器和面向总线的接收器和发送器的性能和密度而设计。 该器件由两个4位缓冲器/驱动器组成。单独的输出使能(OE)\输入。当OE \为低电平时,器件将数据从A输入传递到Y输出。当OE \为高电平时,输出处于高阻态。 输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。此功能允许在混合3.3 V /5 V系统环境中将此器件用作转换器。 当VCC介于0和1.5 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 该器件完全适用于使用Ioff和上电3的热插拔应用-州。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 特性 从2.7 V运行至3.6 V 输入接受电压至5.5 V 最大值pd6.5 ns,3.3 V 典型VOLP(输出接地反弹) &l...

      SN74LVTH32244是一款32位缓冲器和线 V)VCC操作而设计,能够为5 V系统环境提供TTL接口。该器件可用作8个4位缓冲器,4个8位缓冲器,2个16位缓冲器或1个32位缓冲器。该器件提供真正的输出,并具有对称的低电平有效输出使能(OE)输入。它专为提高三态存储器地址驱动器,时钟驱动器和面向总线的接收器和发送器的性能和密度而设计。 SN74LVTH32244完全适用于使用I off 和上电三态。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效逻辑州。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员+ ??族 典型VOLP(输出接地反弹)< 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25C Ioff和上电3态支持热插拔 支持低至2.7 V的未调节电池工作支持混合模式信号操作(具有3.3VV CC 的5V输入和输出电压) 数据输入上的总线保持消除...

      此单个逆变器缓冲器/驱动器可在0.8 V至2.7 VVCC下工作,但专为1.65-设计V至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G06的输出为漏极开路,可连接至其他漏极开路输出,以实现低电平有效或有效。 - 高线和功能。 NanoStar ??和NanoFree?封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用裸片作为封装。 该器件完全适用于使用Ioff的部分断电应用。 Ioff电路禁用输出,防止电流断电时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic器件的更多信息,请参阅TI应用报告,德州仪器AUC Sub-1-V Little Logic器件的应用,文献编号SCEA027。 特性 德州仪器NanoStar有哪些?和NanoFree?封装 针对1.8V工作进行了优化,并且支持3.6-VI /O以支持混合模式信号操作 Ioff支持部分电源 - 向下模式操作 低于1V可操作 最大tpd2.5 ns,1.8 V 低功耗, 10-A最大ICC 8-mA输出驱动,1.8 V 闩锁性能超过100 mA每JESD 78,Class II

      SN74LV8151是一款10位通用施密特触发缓冲器,具有3态输出,设计用于2 V至5.5 VVCC操作。逻辑控制(T /C \)引脚允许用户将Y1至Y8配置为同相或反相输出。当T /C \为高电平时,Y输出为非反相(真逻辑),当T /C \为低电平时,Y输出反相(互补逻辑)。 输出使能时(OE) )\输入为低电平,器件将数据从Dn传递到Yn。当OE \为高电平时,Y输出处于高阻态。路径A到P是一个简单的施密特触发缓冲器,路径B到N是一个简单的施密特触发器逆变器。 该器件完全适用于使用I 关。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 特性 2-V至5.5-VVCC操作 Max tpd15 ns,5 V 施密特触发器输入允许慢速输入上升/下降时间 Y输出的极性控制选择真或补充逻辑 典型VOLP(输出接地反弹) < 0.8 V VCC= 3.3 V,TA= 25 C 典型VOHV(输出VOH...

      SN74LVC2G125 具有三态输出的双总线器件是双总线 VVCC操作。该器件具有双路驱动器,具有3态输出。当相关的输出使能(

      OE)输入高时,输出被禁用。 NanoFree封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用该封装。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 该器件完全适用于使用Ioff的部分断电应用。 Ioff电路禁用输出,防止电流断电时损坏电流回流。 特性 ESD保护超过JESD 22 2000-V模型 1000-V充电 - 设备型号 德州仪器公司提供的NanoFree封装 支持5-VVCC操作

      输入接受电压至5.5 V 最大tpd为4.3 ns,3.3 V 低功耗,10-AMax ICC 24-mA输出驱动3.3 V 典型VOLP(输出接地反弹) < 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25C 典型VOHV(输出V

      此单路施密特触发器逆变器可在0.8V至2.7VVCC下工作,但专为1.65-而设计V至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G14包含一个反相器并执行布尔函数Y =A。该器件作为独立的逆变器工作,但由于施密特,它可能具有不同的输入阈值电平,用于正向(VT +)和负向(VT -信号。 NanoFree封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用该封装作为封装。 该器件完全适用于使用I 关。 Ioff电路禁用输出,防止电源关闭时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic设备的更多信息,请参阅应用程序德州仪器AUCSub-1-V小型逻辑器件,SCEA027。 特性 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22

      2000-V模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 适用于德州仪器NanoFree封装 针对1.8 V工作进行了优化,并且具有3.6-VI /O容差,支持混合模式信号操作

      SN74AUC1G126 具有三态输出的单路总线总线VVCC工作范围而特别设计,但可以在0.8V至2.7 VVCC的范围内工作。 SN74AUC1G126器件是一款具有一个三态输出的单通道线路驱动器。当输出使能(OE)输入为低电平时,输出被禁用。 为确保在上电或掉电期间均处于高阻态,应将OE通过下拉电阻连接至GND;该电阻的最小值取决于驱动器的拉电流能力。 /p

      NanoFree封装技术是器件封装概念上的一项重大突破,它将裸片用作封装。 该器件完全适用于使用Ioff的off电路可禁用输出,以防在器件掉电时电流回流对器件造成损坏。 特性 闩锁性能超过100mA,符合JESD 78 II类规范 ESD保护性能超出JESD 22标准 2000V放电模型(A114-A) 200V机器模型(A115-A) 1000V充电器件模型(C101)

      采用TI的NanoFree封装 经优化,可在1.8V电压下运行并可承受3.6VI /O电压,可支持混合模式信号操作 ...

      此单施密特触发器缓冲器可在0.8 V至2.7 VVCC下工作,但专为1.65-设计V至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G17包含一个缓冲区并执行布尔函数Y = A.该设备作为独立缓冲区运行,但由于施密特动作,它对于正向(VT +)和负向(VT -)信号,可能有不同的输入阈值水平。 NanoFree封装技术是IC封装概念的重大突破,使用芯片作为封装。 该器件完全指定用于部分断电应用,使用Ioff。 Ioff电路禁用输出,防止电源关闭时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic设备的更多信息,请参阅应用程序德州仪器AUCSub-1-V小型逻辑器件,SCEA027。 特性 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22

      2000-V模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 适用于德州仪器NanoFree封装 针对1.8 V工作进行了优化,并且具有3.6-VI /O容差,支持混合模式信号操作

      此单缓冲器/驱动器可在0.8 V至2.7 VVCC下工作,但专为1.65-V设计至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G07的输出为漏极开路,可连接到其他漏极开路输出,以实现低电平有效或高电平有效有线和无功能。 NanoFree封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用该封装。 该器件完全适用于部分断电应用usingI 关。 Ioff电路禁用输出,防止电源关闭时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic设备的更多信息,请参阅应用程序德州仪器AUCSub-1-V小型逻辑器件,SCEA027。 特性 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22

      2000-V模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 适用于德州仪器NanoFree封装 针对1.8 V工作进行了优化,并且具有3.6-VI /O容差,支持混合模式信号操作

      此单缓冲器/驱动器设计用于1.65 V至5.5 VVCC操作。 SN74LVC1G240是一款具有三态输出的单线驱动器。当输出使能(

      OE)输入高时,输出被禁用。 NanoFree封装技术是IC封装的重大突破概念,使用芯片作为封装。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE应该绑定通过上拉电阻到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 该器件完全适用于使用Ioff的部分断电应用。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 特性 德州仪器NanoFree软件包中提供 支持5-VVCC操作 输入接受电压至5.5 V 向VCC提供向下转换 3.7的最大tpdns在3.3 V 低功耗,10-A最大ICC 24-mA输出驱动,3.3 V Ioff支持实时插入,部分断电模式和后驱动保护 闩锁性能超过每个JTED 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22 2000-V模型(A114-A) 200-V机型...

      SN74LVCZ16240A专为提高三态存储器地址驱动器,时钟驱动器和面向总线的接收器和发送器的性能和密度而设计。 该器件可用作四个4位缓冲区,两个8位缓冲区或一个16位缓冲区。该器件提供反相输出。 输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。此功能允许在混合3.3 V /5 V系统环境中将这些器件用作转换器。 在上电或断电期间,当V CC 介于0和0之间时1.5 V,器件处于高阻态。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 该器件完全适用于使用I off 和上电3的热插拔应用-州。 I off 电路禁用输出,防止断电时电流回流通过器件(V CC = 0 V)。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为2.7 V至3.6 V 输入接受电压至5.5 V 3.3 ns时最大t pd 为4.2 ns V I off 和上电3态支持热插...

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      随着无线数据的使用不断增多,人们迫切希望未来的通信系统能够以更高的能效传输更多的数据,以便降低运营成本,并增加移动设备的电池寿命。

      对于发射机的功率放大器(PA)来说,由于其需要在应对最新蜂窝标准所用复杂宽带调制方案所需高峰值平均功率比(PAR)的同时实现高平均效率,因此要同时满足这两个要求,尤其具有挑战性。

      我们已经构建了一个高效的两级GaN RF PA MMIC,它采用一个低压工作的GaN晶体管作为驱动器。这可以通过降低驱动器的功耗和消除其与末级之间级间匹配的需要,来提高整体PA的平均效率。

      尽管负载调制引起的输出功率变化很大,但MMIC的末级采用准负载不敏感(QLI)的E类负载网络来终止,从而可以实现高效率。该负载网络采用标准的RF封装,并利用键合线和封装引线电容来实现。

      负载牵引测量结果表明,尽管负载调制多种多样——例如输出功率可以有8dB变化——但PA的总功率效率仍然大于70%。由于能始终保持这种高效率,因此该MMIC对有赖于负载调制的PA架构(例如Doherty和异相方法)非常有用。

      我们使用此MMIC创建了一个演示PCB。该系统的线dBm时,最大效率为76%。驱动器和末级的电源电压分别为5.5V和25V。我们在我们的演示装置中使用了带矢量切换广义记忆多项式数字预失真(VS-GMP DPD)算法的WCDMA信号,并在29.4dBm的平均输出功率下实现了-52.4dBc的相邻信道泄漏比。

      传统方法对驱动器和末级使用相同的电源电压,因此整个PA需要在其驱动器和末级之间添加一个匹配网络。在驱动器上使用低电源电压,可以充分降低其输出阻抗,而使整个PA不需要这样的匹配网络,从而可降低功率损耗。低驱动器电源电压还可降低驱动器的功耗,从而提高整体效率。去掉级间匹配网络还可降低MMIC的尺寸,从而降低成本。

      图2比较了仿真条件下传统高压和新型低压驱动器RF PA拓扑的整体效率。虽然仿真得到的漏极效率(DE)对于高压和低压情况几乎相同,但功率附加效率(PAE)却存在显著的差异。

      图2:当PA工作在2.14 GHz时,两种驱动器架构的漏极效率(上图)和功率附加效率(下图)的仿真比较。

      此MMIC采用Fraunhofer IAF的0.25µm GaN HEMT技术在多项目晶圆上构建为两级放大器。驱动级和末级的总栅极宽度分别为0.488mm和2.4mm。末级晶体管和驱动器晶体管以及交流耦合电容和栅极偏置电阻均集成在一块裸片上,如图3所示。

      尽管负载调制引起的输出功率变化很大,但MMIC的末级仍采用QLI E类负载网络终止,以便确保高效率。

      MMIC及其QLI E类负载网络采用SOT1112A标准埃赋隆(Ampleon)空腔陶瓷封装,并使用键合线和封装引线电容产生两个关键的电抗元件:4.9nH的L1和1.5pF的C1。

      图4显示了已封装MMIC在负载牵引测量下的效率,表明已封装MMIC可以在大负载变化下保持其高效率。

      为了进一步证明低压驱动器方法的价值,我们设计了一个PCB来安装此MMIC,并调整其输出负载,以匹配此MMIC在上述负载牵引测量下单独实现其最大效率时的阻抗。

      PCB板采用RogersRO4350B作为基板来制备。图5中显示了该PCB板及其偏置和匹配元器件。

      图6显示了已安装PA采用2.14GHz连续波信号测得的漏极效率、功率附加效率和增益。峰值PAE为76%。驱动器功耗非常低,以至于在低输出功率和高输出功率水平下,漏极和功率附加效率之间的差异可以忽略不计。在2.14GHz时测得的小信号增益约为27dB。

      使用低压驱动电路有助于在0.25μm GaN HEMT技术中实现高整体PA效率。我们的测量结果表明,采用RF封装组装、具有QLI E类负载网络的低压驱动器MMIC,可以在输出功率有8dB变化的情况下,创建效率保持大于70%的PA。这样,对于有赖于负载调制的PA架构(例如Doherty和异相方法)来说,此MMIC就能够成为良好的候选器件。

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      流通式架构优化PCB布局 分布式VCC和GND引脚配置可最大限度地降低高速开关噪声 EPICTM(增强型高性能植入式CMOS)1- m工艺 在125C时500-mA典型的闩锁抗扰度 封装选项包括塑料300-mil采用25密耳中心到中心引脚间距和采用25密耳中心到中心引脚间距的380密耳细间距陶瓷扁平(WD)封装,收缩小外形(DL)封装 ...

      LVT16240器件是16位缓冲器和线V)VCC而设计操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。 这些设备专门用于提高3态存储器地址驱动器,时钟驱动器和性能的密度。面向总线的接收器和发送器。 这些器件可用作四个4位缓冲器,两个8位缓冲器或一个16位缓冲器。这些器件提供反相输出和对称低电平有效输出使能(>

      OE)输入。 当VCC 介于0和1.5 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 这些器件完全适用于使用Ioff和上电3的热插拔应用-州。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 SN54LVT16240的特点是在整个军用温度范围内工作 - 55C至125C。 SN74LVT16240的工作温度范围为-40C至85C。 特性 德州仪器广播公司的成员??家庭 3.3 V工作和低静态功耗的先进BiCMOS技...

      此八进制缓冲区/驱动程序设计用于2.7 V至3.6 VVCC操作。 SN74LVCZ240A专为提高三态存储器地址驱动器,时钟驱动器和面向总线的接收器和发送器的性能和密度而设计。 该器件由两个4位缓冲器/驱动器组成。单独的输出使能(OE)\输入。当OE \为低电平时,器件将数据从A输入传递到Y输出。当OE \为高电平时,输出处于高阻态。 输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。此功能允许在混合3.3 V /5 V系统环境中将此器件用作转换器。 当VCC介于0和1.5 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 该器件完全适用于使用Ioff和上电3的热插拔应用-州。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 特性 从2.7 V运行至3.6 V 输入接受电压至5.5 V 最大值pd6.5 ns,3.3 V 典型VOLP(输出接地反弹) &l...

      SN74LVTH32244是一款32位缓冲器和线 V)VCC操作而设计,能够为5 V系统环境提供TTL接口。该器件可用作8个4位缓冲器,4个8位缓冲器,2个16位缓冲器或1个32位缓冲器。该器件提供真正的输出,并具有对称的低电平有效输出使能(OE)输入。它专为提高三态存储器地址驱动器,时钟驱动器和面向总线的接收器和发送器的性能和密度而设计。 SN74LVTH32244完全适用于使用I off 和上电三态。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效逻辑州。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员+ ??族 典型VOLP(输出接地反弹)< 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25C Ioff和上电3态支持热插拔 支持低至2.7 V的未调节电池工作支持混合模式信号操作(具有3.3VV CC 的5V输入和输出电压) 数据输入上的总线保持消除...

      此单个逆变器缓冲器/驱动器可在0.8 V至2.7 VVCC下工作,但专为1.65-设计V至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G06的输出为漏极开路,可连接至其他漏极开路输出,以实现低电平有效或有效。 - 高线和功能。 NanoStar ??和NanoFree?封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用裸片作为封装。 该器件完全适用于使用Ioff的部分断电应用。 Ioff电路禁用输出,防止电流断电时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic器件的更多信息,请参阅TI应用报告,德州仪器AUC Sub-1-V Little Logic器件的应用,文献编号SCEA027。 特性 德州仪器NanoStar有哪些?和NanoFree?封装 针对1.8V工作进行了优化,并且支持3.6-VI /O以支持混合模式信号操作 Ioff支持部分电源 - 向下模式操作 低于1V可操作 最大tpd2.5 ns,1.8 V 低功耗, 10-A最大ICC 8-mA输出驱动,1.8 V 闩锁性能超过100 mA每JESD 78,Class II

      SN74LV8151是一款10位通用施密特触发缓冲器,具有3态输出,设计用于2 V至5.5 VVCC操作。逻辑控制(T /C \)引脚允许用户将Y1至Y8配置为同相或反相输出。当T /C \为高电平时,Y输出为非反相(真逻辑),当T /C \为低电平时,Y输出反相(互补逻辑)。 输出使能时(OE) )\输入为低电平,器件将数据从Dn传递到Yn。当OE \为高电平时,Y输出处于高阻态。路径A到P是一个简单的施密特触发缓冲器,路径B到N是一个简单的施密特触发器逆变器。 该器件完全适用于使用I 关。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 特性 2-V至5.5-VVCC操作 Max tpd15 ns,5 V 施密特触发器输入允许慢速输入上升/下降时间 Y输出的极性控制选择真或补充逻辑 典型VOLP(输出接地反弹) < 0.8 V VCC= 3.3 V,TA= 25 C 典型VOHV(输出VOH...

      SN74LVC2G125 具有三态输出的双总线器件是双总线 VVCC操作。该器件具有双路驱动器,具有3态输出。当相关的输出使能(

      OE)输入高时,输出被禁用。 NanoFree封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用该封装。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 该器件完全适用于使用Ioff的部分断电应用。 Ioff电路禁用输出,防止电流断电时损坏电流回流。 特性 ESD保护超过JESD 22 2000-V模型 1000-V充电 - 设备型号 德州仪器公司提供的NanoFree封装 支持5-VVCC操作

      输入接受电压至5.5 V 最大tpd为4.3 ns,3.3 V 低功耗,10-AMax ICC 24-mA输出驱动3.3 V 典型VOLP(输出接地反弹) < 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25C 典型VOHV(输出V

      此单路施密特触发器逆变器可在0.8V至2.7VVCC下工作,但专为1.65-而设计V至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G14包含一个反相器并执行布尔函数Y =A。该器件作为独立的逆变器工作,但由于施密特,它可能具有不同的输入阈值电平,用于正向(VT +)和负向(VT -信号。 NanoFree封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用该封装作为封装。 该器件完全适用于使用I 关。 Ioff电路禁用输出,防止电源关闭时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic设备的更多信息,请参阅应用程序德州仪器AUCSub-1-V小型逻辑器件,SCEA027。 特性 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22

      2000-V模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 适用于德州仪器NanoFree封装 针对1.8 V工作进行了优化,并且具有3.6-VI /O容差,支持混合模式信号操作

      SN74AUC1G126 具有三态输出的单路总线总线VVCC工作范围而特别设计,但可以在0.8V至2.7 VVCC的范围内工作。 SN74AUC1G126器件是一款具有一个三态输出的单通道线路驱动器。当输出使能(OE)输入为低电平时,输出被禁用。 为确保在上电或掉电期间均处于高阻态,应将OE通过下拉电阻连接至GND;该电阻的最小值取决于驱动器的拉电流能力。 /p

      NanoFree封装技术是器件封装概念上的一项重大突破,它将裸片用作封装。 该器件完全适用于使用Ioff的off电路可禁用输出,以防在器件掉电时电流回流对器件造成损坏。 特性 闩锁性能超过100mA,符合JESD 78 II类规范 ESD保护性能超出JESD 22标准 2000V放电模型(A114-A) 200V机器模型(A115-A) 1000V充电器件模型(C101)

      采用TI的NanoFree封装 经优化,可在1.8V电压下运行并可承受3.6VI /O电压,可支持混合模式信号操作 ...

      此单施密特触发器缓冲器可在0.8 V至2.7 VVCC下工作,但专为1.65-设计V至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G17包含一个缓冲区并执行布尔函数Y = A.该设备作为独立缓冲区运行,但由于施密特动作,它对于正向(VT +)和负向(VT -)信号,可能有不同的输入阈值水平。 NanoFree封装技术是IC封装概念的重大突破,使用芯片作为封装。 该器件完全指定用于部分断电应用,使用Ioff。 Ioff电路禁用输出,防止电源关闭时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic设备的更多信息,请参阅应用程序德州仪器AUCSub-1-V小型逻辑器件,SCEA027。 特性 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22

      2000-V模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 适用于德州仪器NanoFree封装 针对1.8 V工作进行了优化,并且具有3.6-VI /O容差,支持混合模式信号操作

      此单缓冲器/驱动器可在0.8 V至2.7 VVCC下工作,但专为1.65-V设计至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G07的输出为漏极开路,可连接到其他漏极开路输出,以实现低电平有效或高电平有效有线和无功能。 NanoFree封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用该封装。 该器件完全适用于部分断电应用usingI 关。 Ioff电路禁用输出,防止电源关闭时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic设备的更多信息,请参阅应用程序德州仪器AUCSub-1-V小型逻辑器件,SCEA027。 特性 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22

      2000-V模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 适用于德州仪器NanoFree封装 针对1.8 V工作进行了优化,并且具有3.6-VI /O容差,支持混合模式信号操作

      此单缓冲器/驱动器设计用于1.65 V至5.5 VVCC操作。 SN74LVC1G240是一款具有三态输出的单线驱动器。当输出使能(

      OE)输入高时,输出被禁用。 NanoFree封装技术是IC封装的重大突破概念,使用芯片作为封装。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE应该绑定通过上拉电阻到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 该器件完全适用于使用Ioff的部分断电应用。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 特性 德州仪器NanoFree软件包中提供 支持5-VVCC操作 输入接受电压至5.5 V 向VCC提供向下转换 3.7的最大tpdns在3.3 V 低功耗,10-A最大ICC 24-mA输出驱动,3.3 V Ioff支持实时插入,部分断电模式和后驱动保护 闩锁性能超过每个JTED 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22 2000-V模型(A114-A) 200-V机型...

      SN74LVCZ16240A专为提高三态存储器地址驱动器,时钟驱动器和面向总线的接收器和发送器的性能和密度而设计。 该器件可用作四个4位缓冲区,两个8位缓冲区或一个16位缓冲区。该器件提供反相输出。 输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。此功能允许在混合3.3 V /5 V系统环境中将这些器件用作转换器。 在上电或断电期间,当V CC 介于0和0之间时1.5 V,器件处于高阻态。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 该器件完全适用于使用I off 和上电3的热插拔应用-州。 I off 电路禁用输出,防止断电时电流回流通过器件(V CC = 0 V)。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为2.7 V至3.6 V 输入接受电压至5.5 V 3.3 ns时最大t pd 为4.2 ns V I off 和上电3态支持热插...

      该总线缓冲器门电路虽然专门针对1.65V至1.95VV CC 工作范围而特别设计,但可以在0.8 V至2.7VV CC 的范围内工作。 SN74AUC1G240是一款具有一个三态输出的单通道线路驱动器。当输出使能( OE )输入为高电平时,输出被停用。 为了确保上电或断电期间的高阻抗状态, OE 应通过一个上拉电阻器连接至V CC ;该电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力来决定。 NanoFree封装技术是IC封装概念的一项重大突破,它将硅晶片用作封装。 该器件的技术规格针对采用I off 的部分断电应用而全面拟订。我 off 电路负责停用输出,从而可防止破坏性的电流在其断电时通过器件回流。 特性 采用德州仪器的NanoFree封装 专为1.8V工作电压而优化并具有3.6VI /O的电压容忍范围,旨在支持混合模式信号操作 我 off 支持部分断电模式操作 可在低于1V的电压下操作 最大t pd 为2.5ns(在1.8V时) 低功耗:10A最大I CC 8mA输出驱动(在1.8V时) ...

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